大尺寸电子级硅单晶炉关键技术及其应用

发布时间:2012-12-19

    本项目在国家重点支持下,针对极大规模集成电路用硅单晶生长中关键变量的检测与处理、杂质含量与微缺陷抑制、生长工艺与控制方法、整机优化设计与制造等核心技术问题,历经10 年研究,研制成功我国首台极大规模集成电路用300mm 硅单晶炉并形成系列产品,打破了国外产品的垄断和技术封锁,整体性能达到国际先进水平,在非对称CUSP 磁场设计与装置、激光液位检测方法与装置等方面处于国际领先水平。

    本项目获授权发明专利13 项,实用新型专利11 项,申请美国发明专利2项(公示期),制定我国首部单晶炉技术标准从理论创新、技术发明到装备制造,取得了完整的技术成果并实现产业化。核心技术和系列产品已在相关行业推广使用并出口美国、韩国等企业,新增产值24.64 亿元,新增利润4.65 亿元,取得了显著的社会、经济效益。 2012年,本成果获得国家科技发明二等奖。

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