Study of N ions implantation induced quantum well intermixing in GaInP/AlGaInP quantum well structures

发布时间:2017-05-30发布人:cgk

期刊名称:Journal of Alloys and Compounds                 影响因子:3.014

作者:林涛,张浩卿,郭恩民,孙锐娟,林楠,马骁宇

论文介绍:

国际上首次报道了N离子注入诱导GaInP/AlGaInP量子阱混杂的研究。N离子的注入能量为40 KeV,注入剂量为1e17 ions/cm2,离子注入完成后,对各样品在750℃,40 s-200 s的条件下进行快速热退火以诱导量子阱混杂。PL光谱测试结果表明:样品的波长蓝移随着退火时间的增加而增加,750℃、200 s的退火参数下可获得54.9 nm的最大蓝移量和17.7 nm的最小光谱半宽。AFM测试的表面形貌结果表明,退火后样品的光致发光特性的改善主要源于外延材料晶体品质的提升和界面缺陷的消除。XPS能谱测试表明,除了生成点缺陷诱导量子阱混杂外,注入的N离子和样品中已有的Ga成分形成了Ga-N键。激光显示有可能成为下一代显示技术,相关的激光光源的研究是国内外热点,本研究工作将有助于在红光半导体激光器中实现可控性高的非吸收窗口制作方法,将有效地提升红光光源的光电输出特性。

                                                                                               (a) 原始样品和N离子注入后样品的PL

(b) PL谱的蓝移量和半高全宽