Role of Interlayer Coupling on the Evolution of Band Edges in Few-Layer Phosphorene

发布时间:2017-05-30发布人:cgk

期刊名称:The Journal of Physical Chemistry Letters

影响因子:8.539

作者:王伟,刘雅超,川添良幸,耿文通

论文介绍:

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,理论研究了二维黑磷层状材料的电子能带带边随层数的演化规律。我们的计算结果表明黑磷单层是间接带隙半导体且其能带特性敏感依赖于应变。在仅施加1%的应变下其能带可由间接带隙转化为直接带隙。相反,由于层间耦合作用多层二维黑磷材料呈直接带隙导电特性。结合半经验休克尔分子轨道理论我们并提出了层间耦合模型,较圆满地解释了二维黑磷层状材料中层间耦合对带边演化的影响机制。