The roles of the temperature on the structural and electronic properties of deep-level VAsVGa defects in gallium arsenide

来源:  时间:2018-03-28  点击数:

论文介绍:

本文采用分子动力学方法研究了温度对砷化镓VAsVGa缺陷微观结构的影响,并用基于密度泛函理论的第一性原理研究了各团簇缺陷的基本特性。结果表明,在300K≤T≤1173K温度下,VAsVGa团簇缺陷向相对稳定的GaAsAsGaVAsVGa复合缺陷微观结构转变,1173K

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