论文介绍：

由于具有高的强度和模量、良好的导热性能和耐磨性以及低的导电率等诸多优势，AlN被认为是集成电路的潜在封装材料以及Al/Cu等有色金属材料的理想增强体材料。目前存在的主要问题是设备复杂、成本高且难以获得细小尺度的AlN粉末。本文对商用Al粉在不同温度下通H₂和N₂进行氮化处理不同时间，探讨了Al粉末表面AlN的形成过程，实现了对Al粉氮化程度的控制。一方面通过对完全氮化的粉末进行球磨处理，获得了粒径约为200nm的超细AlN粉末，并可用于工业化生产；另一方面通过对部分氮化的Al粉末进行放电等离子烧结制备出了AlN/Al复合材料，相比纯Al而言强度提高了近1.5倍，并保持了较好的延伸率，有望用作航空航天和民用领域的轻质结构材料。