A Novel Active Gate Driver for Improving Switching Performance of High-Power SiC MOSFET Modules-西安理工大学科技处

A Novel Active Gate Driver for Improving Switching Performance of High-Power SiC MOSFET Modules

来源：　时间：2020-08-26 　点击数：

期刊名称：IEEE transactions on power electronics

影响因子：7.2

作者：杨媛，文阳，高勇

论文介绍：

随着电力电子技术的飞速发展，越来越多的应用对功率器件提出了新的要求，例如更高的电压、功率密度和效率。SiC MOSFET以其低开关损耗、高开关频率和耐压值以及优异的温度特性将逐步取代Si MOSFET和IGBT，成为功率器件的首选。然而，较高的开关速度和寄生电感相互作用所引起的电气应力、开关振荡和EMI问题严重阻碍其广泛应用。

针对于此，作者在这篇文章中设计了一种新颖的多极栅电压驱动结构，通过在SiC MOSFET开关过程中的电压和电流斜率阶段降低驱动电压来缓解高dV/dt和dI/dt所引起的开关振荡和EMI问题。此项研究对于大功率SiC MOSFET模块的在高性能电力电子装置中的应用具有重要的参考意义。文章发表在电力电子国际顶级期刊IEEE transactions on power electronics上。