论文介绍：

近年来，发射波长λ> 1.55µm的半导体激光器在气体检测、遥感测试、污染物监测、分子光谱测量、其他类激光器泵浦源、医学及医疗器械等方面得到广泛应用。虽然也有其他半导体材料和器件结构可以实现该波段的激射，但InP基InGaAs(P)因其完善的外延生长技术和制造工艺，具有很大潜力能快速开发出该波段激光器的实用化产品。以前的报道多注重于MOCVD外延生长时TMGa和TMIn反应源流量对InGaAs组分的影响，本工作从理论和实验两方面研究了AsH₃流量对高In组分InGaAs材料发光特性的影响。实验发现，随着AsH₃流量的增加，InGaAs中的In含量减少，说明更多的AsH₃流量将促进TMGa的热解。此外通过改变生长参数，得到了光致发光谱波长1.889μm，结晶质量较高的InGaAs / InGaAsP压应变多量子阱激光器晶片。最后，本文比较分析了InGaAs多量子阱激光器晶片的自发辐射谱和室温光致发光谱的异同。