期刊名称：Applied Surface Science

影响因子：6.707

作者：崔真，王霞，丁迎春，李恩玲，白凯飞，郑江山，刘童

论文介绍：

利用第一性原理计算研究了气体分子CO、NH₃、NO和NO₂在本征和缺陷g-GaN上的吸附行为，以及它们的吸附能、电荷转移和磁矩。所有气体分子在本征g-GaN上表现出物理吸附特性。在这些气体分子中，NH₃和本征g-GaN之间的结合比其他分子更强，因为它的轨道与本征g-GaN中N原子的2p轨道产生杂化。为了提高g-GaN的传感能力，还研究了这些气体分子在Ga和N单空位g-GaN上的吸附行为。所有这些气体分子在缺陷g-GaN上的吸附能都比在本征g-GaN上的吸附能大得多。对于大多数气体分子在缺陷g-GaN上的吸附，电荷转移比相应的气体分子在本征g-GaN上的吸附更为显著。此外，在许多吸附缺陷g-GaN的气体分子中发现了磁性。我们的工作不仅为提高g-GaN的传感能力提供了一条有效途径，也为g-GaN的功能化提供了一条有效途径。该研究成果发表在中科院SCI一区期刊Applied Surface Science上。