Active Gate Driver for Improving Current Sharing Performance of Paralleled High-Power SiC MOSFET Modules-西安理工大学科技处

Active Gate Driver for Improving Current Sharing Performance of Paralleled High-Power SiC MOSFET Modules

来源：　时间：2022-06-27 　点击数：

期刊名称：IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

影响因子：6.153

作者：文阳，杨媛，高勇

论文介绍：

针对大功率应用中SiC MOSFET模块多管并联所导致的并联不均流问题，提出了一种用于改善SiC MOSFET模块并联均流性能的可变栅极电压主动并联均流策略。首先，对影响SiC MOSFET模块并联均流性能的各个参数进行了理论与仿真分析。其中包括驱动器参数、功率模块参数和功率回路参数。在此基础上，提出了一种通过在开关过程中动态调整栅极驱动电压来实现并联SiC MOSFET模块间电流沿和电流斜率自动同步的主动均流策略。然后，针对多只SiC MOSFET模块并联应用，利用仿真方法对主-从和链式控制拓扑下的可变栅极电压主动并联均流策略的效率和精度进行了对比分析。最后，在不同工况下，利用多脉冲实验对所提出的均流策略的可行性以及优势进行了实验验证。实验结果表明，可变栅极电压主动并联均流策略可以有效改善并联模块间电流均流问题。此外，在多只SiC MOSFET模块并联应用中，采用主-从控制拓扑可以获得更好的电流均流性能。本研究对于SiC MOSFET模块在中大功率电力电子设备中的并联应用具有十分重要的技术指导意义。该研究成果发表在中科院SCI一区期刊IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS上。