论文介绍：

由于量子阱混合技术能对半导体材料进行能带修饰，因此常被用于大功率半导体激光器的非吸收窗口和光子集成电路制作中。传统的808nm半导体激光器采用了含Al材料的有源区，Al原子容易氧化，因而会产生深能级缺陷和暗线缺陷，影响器件的性能和寿命。本文针对808nm InGaAsP / GaInP无Al激光器晶片采用无杂质空位扩散诱导量子阱混杂，相比此前报道的光致发光谱（PL）波长蓝移，本工作中，首先实验中在大功率半导体激光器PL谱测试中观察到了红移，且随着退火时间和退火温度的增加，红移量增大，750℃、210s下得到了7.3nm的最大红移，XPS测量被用来佐证量子阱混杂的理论分析。截止目前该研究尚未有重要的应用前景，仅可用来处理外延生长的波长过短的不合格外延片，通过该实验工艺可使其波长符合要求。