期刊名称：Journal of Alloys and Compounds 影响因子：3.624

作者：林涛，李晶晶，张天杰，林楠，熊聪，马骁宇

论文介绍：

基于红、绿、蓝（RGB）半导体激光器的三基色光源是激光显示领域的重要硬件基础，其中采用张应变GaInP量子阱的635-642nm半导体激光器是攻克激光显示用红光光源的主要途径。

高掺杂浓度的p型AlInP材料可用于在短波长红光激光器结构中实现低串联电阻和高载流子限制。为了研究张应变GaInP阱结构红光激光器中的Mg掺杂和其他材料、光电特性，本文通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）法生长了两组具有不同Mg掺杂AlInP包层的晶片结构。通过空穴浓度与原子掺杂浓度的结果比较，理论分析了重掺杂AlInP中Mg原子的复合和扩散过程。由此得出，仅通过原位退火，在AlInP层中掺杂Mg可实现10¹⁸cm^-3以上的空穴浓度；在N₂气氛中快速热退火后，实现了高达2.92×10¹⁸cm^-3的空穴浓度，这是迄今为止报道的p-AlInP材料中最高的空穴掺杂浓度。同时我们还发现Mg掺杂GaInP的负失配在重掺杂的情况下会降低，且GaInP量子阱的光致发光特性会因为压应变引入的晶体缺陷而变差。本研究成果可为基于张应变GaInP量子阱和AlInP包层的高效短波光电器件的实现提供实验指导。

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